チップ単体でのパワーデバイスを測定する動特性検査装置です。
ウェーハ状態での検査装置も多くの実績があります。
チップ単体用動特性検査装置
高精度な位置決めとプロービング技術によりチップ単体での動特性(AC特性)試験が可能に
新開発のコンタクト方式による低Ls測定を実現
◇主な仕様
対象素子 | N-Ch IGBT/P-MOS FET Diode |
SW TIME | VCC:1000V IC:1000A VG:±20V |
VCE(SUS) | VCC:1000V IC:2000A VG:±20V VCE(SUS): 2500V |
インダクタンス | L:3μH~1mH |
波形取得 | D.S.O. |
その他 | パレット供給・分類収納機能 |
※本仕様は一例です。詳細はお問い合わせください。