静特性検査装置

各種半導体（IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Diode 等）の静特性測定装置・関連情報をご紹介します。

静特性検査装置高速化への取り組み（技術資料）

大電流立ち上がり時間10μSを達成！
静特性検査装置高速化へのアプローチについてご紹介しています。画像をクリックしてください。

パワー・モジュール用静特性検査装置

パワー・モジュール用静特性検査装置
各種半導体（IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Diode 等）のパワー・モジュールを対象とした静特性測定装置（DC特性測定装置）です。

ウェーハチップ単体用静特性検査装置

ウェーハチップ単体用静特性検査装置
各種半導体（IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Diode 等）のウェーハチップ単体を対象とした静特性測定装置（DC特性測定装置）です。