チップ単体用静特性検査装置

チップ単体でのパワーデバイスを測定する静特性検査装置です。

ウェーハ状態での検査装置も多くの実績があります。

チップ単体用静特性検査装置

チップ単体での静特性（DC特性）試験装置です。

微小電流から大電力まで対応。

対象素子	N-Ch IGBT / IPM / MOS-FET / Diode
主な測定項目	IGES(±) （ゲ－トエミッタリ－ク電流） VGE(off) （ゲート･エミッタ間遮断電圧） ICES （出力段リ－ク電流） VCES （出力段耐圧） VCE(SAT) （出力段飽和電圧）
その他	・測定条件の設定は HOST PC との間で対話形式 ・測定デ－タはCSV形式で記録 ・室温／高温測定

※本仕様は一例です。詳細はお問い合わせください。