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チップ単体用 静特性測定器 |
► チップ単体での静特性(DC特性)試験装置です。
► 微小電流から大電力まで対応。
◇主な仕様
対象素子 | N-Ch IGBT / P-MOS FET / Diode |
主な測定項目 |
IGES(±) (ゲ-トエミッタリ-ク電流) VGE(off) (ゲート・エミッタ間遮断電圧) ICES (出力段リ-ク電流) VCES (出力段耐圧) VCE(SAT) (出力段飽和電圧) |
その他 |
・測定条件の設定は HOST PC との間で対話形式 ・測定デ-タはCSV形式で記録 ・室温/高温測定 |
※本仕様は一例です。詳細はお問い合わせください。